PBSS9110AS,126 دیتاشیت

PBSS9110AS

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS9110AS
حجم فایل 158.541 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PBSS9110AS

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Box (TB)
  • Part Status: Obsolete
  • Transistor Type: PNP
  • Current - Collector (Ic) (Max): 1A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
  • Power - Max: 830mW
  • Frequency - Transition: 100MHz
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Supplier Device Package: TO-92-3
  • Base Part Number: PBSS9
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3

محصولات مشابه